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Si5482DU
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
32
24
16
V GS = 10 thru 3 V
V GS = 2 V
20
16
12
8
T C = 125 °C
8
0
4
0
T C = 25 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.018
0.016
0.014
0.012
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2500
2000
1500
1000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
500
C oss
0.010
0
C rss
0
8
16
24
32
40
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 11.1 A
8
V DS = 15 V
1.8
1.6
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
6
1.2
4
V DS = 24 V
1.0
2
0
0.8
0.6
0
5
10
15
20
25
30
35
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 73594
S-81448-Rev. B, 23-Jun-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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